Artikelnummer : |
NSBC124EPDXV6T1G |
Tillverkare / Brand : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beskrivning : |
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
RoHs status : |
Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
Tillgänglig kvantitet |
404620 pcs |
Datablad |
NSBC124EPDXV6T1G.pdf |
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) |
50V |
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Transistortyp |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Leverantörs Device Package |
SOT-563 |
Serier |
- |
Motstånd - Emitterbas (R2) |
22 kOhms |
Motstånd - Bas (R1) |
22 kOhms |
Effekt - Max |
500mW |
Förpackning |
Cut Tape (CT) |
Förpackning / Fodral |
SOT-563, SOT-666 |
Andra namn |
NSBC124EPDXV6T1GOSCT |
Monteringstyp |
Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL) |
1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid |
2 Weeks |
Ledningsfri status / RoHS-status |
Lead free / RoHS Compliant |
Frekvens - Övergång |
- |
detaljerad beskrivning |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
60 @ 5mA, 10V |
Nuvarande - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) |
100mA |
Bas-delenummer |
NSBC1* |