Artikelnummer : | NSBA123JDXV6T1G |
---|---|
Tillverkare / Brand : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beskrivning : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
RoHs status : | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
Tillgänglig kvantitet | 5924 pcs |
Datablad | NSBA123JDXV6T1G.pdf |
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Leverantörs Device Package | SOT-563 |
Serier | - |
Motstånd - Emitterbas (R2) | 47 kOhms |
Motstånd - Bas (R1) | 2.2 kOhms |
Effekt - Max | 500mW |
Förpackning | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / Fodral | SOT-563, SOT-666 |
Andra namn | NSBA123JDXV6T1GOS NSBA123JDXV6T1GOS-ND NSBA123JDXV6T1GOSTR |
Monteringstyp | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
Ledningsfri status / RoHS-status | Lead free / RoHS Compliant |
Frekvens - Övergång | - |
detaljerad beskrivning | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Nuvarande - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) | 100mA |
Bas-delenummer | NSBA1* |