Artikelnummer : | EMG3T2R |
---|---|
Tillverkare / Brand : | LAPIS Semiconductor |
Beskrivning : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
RoHs status : | Blyfri / Överensstämmer med RoHS |
Tillgänglig kvantitet | 582311 pcs |
Datablad | 1.EMG3T2R.pdf2.EMG3T2R.pdf |
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Leverantörs Device Package | EMT3 |
Serier | - |
Motstånd - Emitterbas (R2) | - |
Motstånd - Bas (R1) | 4.7 kOhms |
Effekt - Max | 150mW |
Förpackning | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / Fodral | SC-75, SOT-416 |
Andra namn | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
Monteringstyp | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid | 10 Weeks |
Ledningsfri status / RoHS-status | Lead free / RoHS Compliant |
Frekvens - Övergång | 250MHz |
detaljerad beskrivning | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Nuvarande - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) | 100mA |
Bas-delenummer | *MG3 |